这是电子学领域的重大突破。EPFL的纳米尺度电子与结构实验室(LANES)的工程师们已经开发出了下一代电路，允许更小、更快、更节能的设备——这将对人工智能系统带来重大好处。他们的革命性技术是第一次使用2D材料来制造所谓的逻辑内存结构，或将逻辑操作与记忆功能结合在一起的单一结构。研究小组的发现发表在今天的《自然》杂志上。

 

到目前为止，杏耀开帐号计算机芯片的能源效率一直受到他们目前使用的冯·诺伊曼结构的限制，即数据处理和数据存储在两个独立的单元中进行。这意味着数据必须不断地在两个单元之间传输，消耗了相当多的时间和精力。

 

通过将这两个单元合并成一个结构，工程师可以减少这些损失。这就是EPFL开发的新芯片背后的想法，尽管它比现有的逻辑存储设备更进一步。EPFL芯片由二硫化钼(MoS2)制成，二硫化钼是一种二维材料，只有3个原子厚的单层。它也是一种优秀的半导体。几年前，莱恩的工程师就已经研究过MoS2的特殊性质，发现它特别适合于电子应用。现在，该团队已经进一步进行了初步研究，以创造他们的下一代技术。

 

EPFL芯片是基于浮动栅场效应晶体管(FGFETs)。这些晶体管的优点是它们可以长时间保持电荷;它们通常用于相机、智能手机和电脑的闪存系统。MoS2独特的电特性使得它对FGFETs中存储的电荷特别敏感， 杏耀娱乐信誉如何 ，这使得lane的工程师能够开发出既可以作为存储单元又可以作为可编程晶体管的电路。通过使用MoS2，他们能够将许多处理功能合并到一个单一的电路中，然后根据需要改变它们。

 

深入的专业知识

 

“这种回路执行两种功能的能力与人脑的工作方式类似，人脑的神经元既参与存储记忆，也参与心理计算，”lane的负责人Andras Kis说。“我们的电路设计有几个优点。它可以减少与在内存单元和处理器之间传输数据相关的能量损失，杏耀注册帐号减少计算操作所需的时间，并缩小所需的空间。这为更小、更强大、更节能的设备打开了大门。”

 

lane的研究团队还在2D材料制造电路方面获得了深入的专业知识。“十年前，我们用手工制作了第一块芯片，”基斯说。“但我们后来开发了一种先进的制造工艺，可以在一次运行中制造80或更多芯片，性能得到很好的控制。”