NIMS和AIST联合成功地制造了一种由单晶Heusler合金在实际硅基板上组成的巨磁阻(GMR)器件。该团队首次证明了利用晶片键合技术可以将单晶磁阻器件粘接在多晶电极表面。高性能单晶器件的制造已被证明具有挑战性，杏耀注册这些结果可能为开发大容量硬盘驱动器(hdd)提供新的指导。

 

一些赫斯勒合金(如Co2MnSi)已知具有半金属性质?当原子有序排列时，作为一个自旋方向电子的导体的物质。在之前的研究中，使用半金属的赫斯勒合金制造了高质量的巨磁电阻器件。据报道，该设备表现出极大的磁阻比，这一特性对于开发与hdd兼容的硬盘读头至关重要，而hdd的记录密度几乎是当前hdd的五倍。然而，杏耀游戏帐号制造这种巨磁电阻器件需要使用具有适当晶格结构的耐热单晶氧化镁(MgO)衬底，这比使用工业上建立的小型MgO衬底要昂贵得多。此外，硬盘读取头需要在多晶磁屏蔽上制作， 杏耀平台总代 ，尽管不可能直接在具有各种晶格方向的晶体晶粒的多晶薄膜表面生长单晶器件。此外，赫斯勒合金必须在至少300℃的温度下退火，以形成有序的原子顺序。然而，这种退火过程也会破坏磁屏蔽层。这些问题阻碍了由单晶赫斯勒合金组成的巨磁电阻器件的实际应用。

 

该研究团队在传统的廉价硅基板表面沉积了NiAl/CoFe缓冲层，发现该基板获得了显著的耐热性和更光滑的表面。该团队随后在硅基板上制造了由单晶Heusler合金组成的巨磁电阻器件，并证实该器件的性能与在MgO基板上生长的巨磁电阻器件相当。该团队还在另一个衬底表面生长了多晶电极薄膜，并在其上制造了由单晶赫斯勒合金组成的巨磁电阻薄膜设备。随后，该团队利用最新的三维集成技术将制备好的巨磁电阻薄膜器件粘接在晶圆上。通过这些过程，该团队通过优化晶片键合条件，在多晶硅和单晶硅薄膜之间形成了一个非常光滑、无缺陷的键合界面。该团队还证实， 杏耀客户端IOS不能下载 ，将制作好的巨磁电阻薄膜器件粘接在晶圆上不会对器件的磁阻性能产生负面影响。该团队开发的技术有望消除在多晶电极薄膜上直接生长单晶磁阻器件的需要，并完全解决高温处理造成的损坏问题。

 

这些技术不仅适用于GMR设备的制造包括单晶赫斯勒合金也用于其他目的,比如单晶隧穿磁电阻设备的集成——另一个潜在的有前途的高性能技术到heat-susceptible电路板。这些技术的使用可能促进高性能单晶自旋电子器件的实际应用，从而潜在地促进大容量hdd和磁阻随机存取存储器的发展。