忆阻器记忆技术将给全世界的计算机带来革命性的变化，杏耀注册因为它被吹捧为下一代边缘计算最有前途的候选者之一。该技术因其在高效内存计算、机器学习和神经态计算等方面的实现而成为取代flash的热门技术。实现一个模型来准确地预测忆阻器记忆技术的现象是至关重要的，因为这将允许工程师设计具有更有效行为的系统来制造更便宜、更快的记忆体。

 

目前，广泛的实验和建模研究已经报道了解传输过程，这发生在电流通过设备。在模型模拟器中应用了外加电压、电场、材料常数等重要特性来预测这一过程。利用仿真工具和先进的观测技术，可以用各种模型分析输运过程。

 

新加坡领导的一个合作项目成功地创造了一个利用电子和热元件来制造“传输模式”的模拟器。然后， ，该团队利用这个混合平台来描绘存储技术中一个长期存在的挑战:多种条件下的传输过程。

 

通讯作者，来自SUTD的助理教授Desmond Loke说:“我们所做的是在一个模型中选取了两个不同的组成部分，即忆阻器模型，它们彼此表现出不同的行为。把它们放在一起，就可以创造出一种比传统模型精确700倍的运输模式。”

 

由于焦耳加热，器件的电位温度增加，杏耀开户电子性质发生变化，如电子的迁移率和阱的深度。这些变化影响了忆阻器存储器传输行为的分析和预测。通过考虑输运行为的模型以及电子迁移率和陷阱深度的假设，可以准确地预测忆阻器记忆细胞的输运行为。此外，通过描述一组全新的一般限流参数获得的器件特性，可以充分说明丰富的输运和开关行为。